R. Stępniewski

Institut of Experimental Physics

University of Warsaw

ul. Pasteura 5, 02-093 Warszawa,

 

 

Publication list

117 J. Borysiuk, J. Sołtys, J. Piechota, S. Krukowski, J. M. Baranowski, and R. Stępniewski
“Structural defects in epitaxial graphene layers synthesized on C-terminated 4H-SiC  surface - transmission electron microscopy and density functional theory studies”
J. Appl. Phys. 115, 054310 (2014)

116 M. Tokarczyk, G. Kowalski, M. Możdżonek, J. Borysiuk, R. Stę pniewski, Strupiński, P. Ciepielewski, and J. M. Baranowski
“Structural investigations of hydrogenated epitaxial graphene grown on 4H-SiC (0001)”
Appl. Phys. Lett. 103, 241915 (2013)

115 P. Vasek, L. Smrcka, P. Svoboda, M. Ledinsky, V. Jurka, M. Orlita, D. K. Maude, W. Strupinski, R. Stepniewski, R. Yakimova
“Magnetotransport in graphene on silicon side of SiC”
J. Phys. Conf. Series 456, 012038 (2013)

114 B. Piętka, J. Suffczyński, M. Goryca, T. Kazimierczuk, A. Golnik, P. Kossacki, A. Wysmolek, J. A. Gaj, R. Stępniewski, and M. Potemski
„Photon correlation studies of charge variation in a single GaAlAs quantum dot”
Phys. Rev. B 87, 035310 (2013)

113 K. Grodecki, R. Bozek, W. Strupinski, A. Wysmolek, R. Stepniewski, and J. M. Baranowski
“Micro-Raman spectroscopy of graphene grown on stepped 4H-SiC (0001) surface”
Appl. Phys. Lett. 100, 261604 (2012)

112 K. Grodecki, J. A. Blaszczyk, W. Strupinski, A. Wysmolek, R. Stępniewski, A. Drabinska, M. Sochacki, A. Dominiak, and J. M. Baranowski
“Pinned and unpinned epitaxial graphene layers on SiC studied by Raman spectroscopy”
J. Appl. Phys. 111, 114307 (2012)

111 J. Borysiuk, J. Sołtys, R. Bożek, J. Piechota, S. Krukowski, W. Strupiński, J.M. Baranowski, and R. Stępniewski
“Role of structure of C-terminated 4H-SiC(000 ) surface in growth of graphene layers - transmission electron microscopy and density functional theory studies”
Phys. Rev. B 85, 045426 (2012)

110 K. Grodecki, R. Bozek, J. Borysiuk, W. Strupinski, A. Wysmolek, R. Stepniewski and J.M. Baranowski
„Raman Studies of Defects in Graphene Grown on SiC”
ACTA PHYSICA POLONICA A, 119,
595-596 (2011)

109 K. Zieleniewski, K. Pakuła, R. Bozek, K. Masztalerz, A. Wysmołek, and R. Stepniewski
“Built-In Electric Field in High Quality GaN/AlGaN Quantum Wells”
ACTA PHYSICA POLONICA A, 119, 657-659 (2011)

108 W. Strupinski, K. Grodecki, A. Wysmolek, R. Stepniewski, T. Szkopek, P. E. Gaskell, A. Grüneis, D. Haberer, R. Bozek, J. Krupka, and J. M. Baranowski
“Graphene Epitaxy by Chemical Vapor Deposition on SiC”
Nano Lett. 11, 1786–1791 (2011)

107 A. M. Witowski, M. Orlita, R. Stępniewski, A. Wysmołek, J. M. Baranowski, W. Strupiński, C. Faugeras, G. Martinez, and M. Potemski
“Quasiclassical cyclotron resonance of Dirac fermions in highly doped graphene”
Phys. Rev. B 82, 165305 (2010)

106 A. Drabińska, K. Grodecki, W. Strupiński, R. Bożek, K. P. Korona, A. Wysmołek, R. Stępniewski, and J. M. Baranowski
„Growth kinetics of epitaxial graphene on SiC substrates”
Phys. Rev. B 81, 245410 (2010)

105 W.Strupinski, A.Drabinska, R.Bozek, J.Borysiuk, A.Wysmolek, R.Stepniewski, K.Kosciewicz, P.Caban, K.Korona, K.Grodecki, Pierre-Antoine Geslin and J.M.Baranowski
“Growth Rate and Thickness Uniformity of Epitaxial Graphene”
Materials Science Forum 645-648, 569-572 (2010)

104 J. Borysiuk, R. Bożek, K. Grodecki, A. Wysmołek, W. Strupiński, R. Stępniewski, and J. M. Baranowski
“Transmission electron microscopy investigations of epitaxial graphene on C-terminated 4H–SiC”
Journal of Applied Physics 108, 013518  (2010)

103 K. Grodecki, A. Wysmołek, R. Stepniewski, J.M. Baranowski, W. Hofman, E. Tymicki and K. Grasza
“Raman Piezospectroscopy of Phonons in Bulk 6H-SiC”
Acta Physica Polonica A 116, 947 (2009)

102 K. Surowiecka¤, A. Wysmołek, R. Stepniewski, R. Bozek, K. Pakuła and J.M. Baranowski
“Time Evolution of the Microluminescence Energy of GaN/AlGaN Quantum Dots”
Acta Physica Polonica A 116, 933 (2009)

101 K. Grodeckia, A. Drabinska, R. Bozek, A. Wysmołek, K.P. Korona, W. Strupinski, J. Borysiuk, R. Stepniewski and J.M. Baranowski
„Optical Absorption and Raman Scattering Studies of Few-Layer Epitaxial Graphene Grown on 4H-SiC Substrates”
Acta Physica Polonica A 116, 835 (2009)

100 A. Wysmołek, R. Stępniewski, K. Wardak, J. Baranowski, M. Potemski, E. Tymicki, K. Grasza,
“1.4 eV - luminescence band in 6H-SiC: symmetry of the associated defect”
International Journal of Modern Physics B 23, 3019 - 3023 (2009)

99   W. Strupinski, R. Bozek, J. Borysiuk, K. Kosciewicz, A. Wysmolek, R. Stepniewski and J. M. Baranowski
„Growth of Graphene Layers on Silicon Carbide”
Materials Science Forum 615-617, 199-202 (2009)

98   J. Borysiuk, R. Bożek, W. Strupiński, A. Wysmołek, K. Grodecki, R. Stępniewski, and J. M. Baranowski
"Transmission electron microscopy and scanning tunneling microscopy investigations of graphene on 4H-SiC(0001)"
Journal of Applied Physics 105, 023503 (2009)

97   K. Surowiecka, A. Wysmołek, R. Stępniewski, M. Potemski and M. Henini
„Time Resolved Magnetophotoluminescence of Biased GaAs/AlGaAs Double Quantum Well Structure”
Acta Physica Polonica A 114, str. 1369-1374 (2008)

96   A. Wysmolek, R. Stępniewski, M. Potemski
”Magneto-spectroscopy of donor-bound excitons in GaN”
Physica B 401–402,  441–446 (2007)

95   K. Surowiecka¤, A. Wysmołek, R. Stępniewski, R. Bożek, K. Pakuła and J.M. Baranowski
Single GaN/AlGaN Quantum Dot Spectroscopy”
Acta Physica Polonica A 112 Nr 2 str. 233-236 (2007)

94   B. Piętka, A. Wysmołek, R. Stępniewski, M. Potemski, S. Raymond, R. Bożek, V. Thierry-Mieg
“Direct bandgap quantum dots embedded in a type-II GaAs/AlAs double quantum well structure”
International Journal Of Modern Physics B 21 str. 1654-1658 (2007)

93   J.  Suffczyński, A. Trajnerowicz, T. Kazimierczuk, B. Piętka, K. Kowalik, P. Kossacki, A. Golnik, M. Nawrocki, J. Gaj, A. Wysmołek, R. Stępniewski, M. Potemski, V. Thierry-Mieg
”Control of Photon Polarization in GaAs / AlAs Single Quantum Dot Emission”
Acta Physica Polonica A 112 Nr 2 str. 461-466 (2007)

92   A. Wysmołek, R. Stępniewski, M. Potemski, B. Chwalisz-Piętka, K. Pakuła, J. M. Baranowski, D. C. Look, S. S. Park, and K. Y. Lee
”Magnetopolaron Effect on Silicon and Oxygen Donors in GaN”
International Journal of Modern Physics B: Condensed Matter Physics; Statistical Physics; Applied Physics 21, 1486-1490 (2007).

91   A. Wysmołek, R. Stępniewski, M. Potemski, B. Chwalisz-Piętka, K. Pakuła, J. M. Baranowski, D. C. Look, S. S. Park, and K. Y. Lee
” Magnetopolaron effect on shallow donors in GaN”
Phys. Rev. B 74, 195205 (2006)

90   A. Wysmołek, K. Wardak, R. Stępniewski, J. Baranowski, M. Potemski, E. Tymicki, K. Grasza
” Magneto-Luminescence Study of Silicon-Vacancy in 6HSiC”
Acta Physica Polonica A 110, 437-442 (2006)

89   K. Pakuła, R. Bożek, K. Surowiecka, R. Stępniewski, A. Wysmolek, and J. M. Baranowski
”Low density GaN quantum dots on AlGaN”
phys. stat. sol.
(b) 243, 1486–1489 (2006)

88   K. Pakuła, R. Bożek, K. Surowiecka, R. Stępniewski, A. Wysmołek, J. M. Baranowski
”Growth of low-density GaN quantum dots on AlxGa1-xN”
Journal of Crystal Growth 289, 472–476 (2006)

87   L. Bryja, M. Kubisa, K. Ryczko, J. Misiewicz, M. Kneip, M. Bayer, R. Stępniewski, M. Byszewski, M. Potemski, D. Reuter, A. Wieck
”Investigations of interface excitons at p-type GaAlAs/GaAs single heterojunctions in continuous wave and time resolved magneto photoluminescence experiments”
AIP Conference Proceedings 772, 1158-9 (2005)

86.  K.Surowiecka, A.Wysmołek, R.Stępniewski, R.Bożek, K.Pakuła and J.M.Baranowski
” Temporal Evolution of Multi-Carrier Complexes in Single GaN/AlGaN Quantum Dots”
Acta Physica Polonica A 108, 879-884 (2005)

85.  A. Lesiak, B. Chwalisz, A. Wysmołek, M. Potemski, R. Stępniewski and V. Thierry-Mieg
”Carriers Diffusion in GaAs/AlAs Type II Quantum Well”
Acta Physica Polonica A 108, 755-760 (2005)

84.  K.P. Korona, K. Pakuła, R. Bożek, A. Drabińska, K. Surowiecka, R. Stępniewski, E. Zielińska-Rohozińska and J.M. Baranowski
”Potential and Carrier Distribution in AlGaN Superlattice”
Acta Physica Polonica A 108, 723-729 (2005)

83.  K. Korona, B. Chwalisz, A. Wysmołek, R. Stępniewski, K. Pakuła, J. Baranowski, J. Kul,
”Recombination dynamics in GaN / AlGaN low dimensional structures obtained by SiH4 treatment”
phys. stat. sol. (c) 2, 1069-1072 (2005)

82.  K. Korona, A. Wysmołek, R. Stępniewski, J. Kuhl, D. Look, S. Lee, J. Han
”Dynamics of ground and excited states of bound excitons in gallium nitride”
Journal of Luminescence 112, 30-33 (2005)

81.  B. Chwalisz, A. Wysmołek, K. Korona, R. Stępniewski, C. Skierbiszewski
”Anomalous behaviour of the photoluminescence from GaN / AlGaN quantum wells” phys. stat. sol. (c) 2, 1010-1013 (2005)

80.  B. Chwalisz, A. Wysmołek, R. Stępniewski, A. Babiński, M. Potemski, V. Thierry-Mieg
Magneto-luminescence of a single lateral island formed in a type - II GaAs / AlAs QW”
 Int. J. of Modern Physics B 18, 3807-3812 (2004)

79.  A. Wysmołek, B. Chwalisz, M. Potemski, R. Stępniewski, A. Babiński, S. Raymond, and V. Thierry-Mieg
Emission from Mesoscopic-Size Islands Formed in a GaAs/AlAs Double Layer Structure”
Acta Physica Polonica A 106, 367-381 (2004)

78.  B. Chwalisz, A. Wysmołek, R. Bożek, R. Stępniewski, K. Pakuła, P. Kossacki, A. Golnik, Jacek Baranowski
”Spatially resolved micro-luminescence from GaN / AlGaN quantum dots”
 Acta Physica Polonica A 105, 517-522 (2004)

77.  A. Wysmołek, K. Korona, R. Stępniewski, J. Baranowski, J. Błoniarz, M. Potemski, R. Jones, D. Look, J. Kuhl, S. Park, S. Lee
„Reply to "Comment on "Recombination of excitons bound to oxygen and silicon donors in freestanding GaN"”
Phys. Rev. B 69, 157302 (2004)

76.  L. Bryja, M. Kubisa, K. Ryczko, J. Misiewicz, R. Stępniewski, M. Byszewski, M. Potemski, D. Reuter, A. Wieck
„Magnetic-field-induced excitons in photoluminescence from heavily doped p-type Ga(1-x)Al(x)As / GaAs single heterojunction”
PHYSICA B 346-347,  442-445 (2004)

75.  K. Ryczko, M. Kubisa, L. Bryja, J. Misiewicz, R.. Stępniewski, M. Byszewski, M. Potemski
„Hole subbands and Landau levels in p-type single Al(x)Ga(1-x)As / GaAs heterostructures”
PHYSICA B 346-347,  451-454 (2004)

74.  A. Mycielski, L. Kowalczyk, A. Szadkowski, B. Chwalisz, A. Wysmołek, R. Stępniewski, J.M. Baranowski, M. Potemski, A. Witowski, R Jakieła, A. Barcz, B. Witkowska, W. Kaliszek, A. Jędrzejczak, A. Suchocki, E. Łusakowska, E. Kamińska,
„The chemical vapour transport growth of ZnO single crystals” 
Journal of Alloys and Compounds 371, 150–152 (2004)

73.   A. Mycielski, A. Szadkowski, L. Kowalczyk, B. Witkowska, W. Kaliszek, B. Chwalisz, A. Wysmołek, R. Stępniewski, J. Baranowski, M. Potemski, A. Witowski, R Jakieła, A. Barcz, P. Aleshkevych, M. Jouanne, W. Szuszkiewicz, A. Suchocki, E. Łusakowska, E. Kamińska, W. Dobrowolski
„ZnO and ZnO:Mn crystals obtained with the chemical vapour transport method”  phys. stat. sol. (c), 1, 884-887 (2004)

72.  B. Chwalisz, A. Wysmołek, R. Stępniewski, M.Potemski, W. Knap, J.M. Baranowski, N. Grandjean, J. Massies, P. Prystawko, I. Grzegory
Optical detection of 2DEG in GaN/AlGaN Structures – High Magnetic Field Studies”
phys. stat. sol. (c) 1, 193-197 (2004)

71.  R. Stępniewski, A. Wysmołek, and M. Potemski
„Electronic structure of shallow impurities in GaN studied via bound exciton magnetooptics”
phys. stat. sol. (a), 201, No. 2, 181–189 (2004)

70.  R. Stępniewski, A. Wysmołek, M. Potemski, K. Pakuła, J.M. Baranowski, I. Grzegory, S. Porowski, G. Martinez, P. Wyder
„Fine Structure of Effective Mass Acceptors in Gallium Nitride”
Phys. Rev. Lett. 91, 226404/1-4(2003)

69.  B. Chwalisz, A. Wysmołek, R. Bożek, K. Korona, R. Stępniewski, W. Knap, K. Pakuła, J. Baranowski, N. Grandjean, J. Massies, P. Prystawko, I. Grzegory
„Localization effects in GaN / AlGaN quantum well - photoluminescence studies”
Acta Physica Polonica A 103, 573-578 (2003)

68.  A. Wysmolek, M. Potemski, R. Stepniewski, J.M. Baranowski, D.C. Look, S.K. Lee, and J.Y. Han
„Resonant interaction of LO phonons with excited donor states in GaN”
phys. stat. sol. (b) 235, 36 –39 (2003)

67.  K.P. Korona, A. Wysmołek, R. Stępniewski, M. Potemski, J.Kuhl, J.M.Baranowski, G.Martinez, I.Grzegory, S.Porowski
„Dynamics of Trapping on Donors and Relaxation of the B-Exciton in GaN”
phys. stat. sol. (b) 235, 31-35 (2003)

66.  Z Romanowski, Michał Szot, K. Karpierz, R. Bożek, R. Stępniewski, Marian Grynberg
„MOCVD n-InAs thin layers compared with MBE samples - far infrared magnetophotoconductivity”
physica status solidi C 2, 644-647 (2003)

65.  A. Drabińska, K.P. Korona, R. Bożek, A. Babiński, J.M. Baranowski, W. Pacuski, R. Stępniewski, and T. Tomaszewicz
„Determination of Si
d-Doping Concentration in GaN by Electroreflectance”
phys.stat.sol.(b) 234, 868 –871 (2002)

64.  A. Hruban, S. Strzelecka, E. Wegner, M. Pawłowska, A. Gladki, R. Stępniewski, J. Jasiński, R. Bożek
„Bonding with atomic rearrangement - new possibilities in material and devices technology”
Optica Applicata 32, 355-364 (2002)

63.  M. Wojdak, J.M. Baranowski, A. Wysmolek, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Potemski, I. Grzegory. S. Porowski,
”Magneto-spectroscopy of two-electron transitions in homoepitaxial GaN”,
 in “GaN and Related Alloys – 2001”, ed.: J.E. Northrup, J. Neugebauer, S.F.Chichibu, D.C. Look, H. Riechert, Materials Research Society 693 533-537, (2002),Warrendale, Pensylwania, USA

62.  A. Golnik, W. Mac, K. Pakuła, R. Stępniewski, C. Testelin, J.A. Gaj,
Low field excitonic Zeeman splittings in gallium nitride”
Solid State Communications 124, 89–92 (2002)

61.  A. Wysmołek, K.P. Korona, R. Stępniewski, J.M. Baranowski, J. Błoniarz, M. Potemski, R.L. Jones, D.C. Look, J. Kuhl, S.S. Park, S.K. Lee,
„Recombination of excitons bound to oxygen and silicon donors in freestanding GaN”,
Phys. Rev. B 66, 245317 (2002)

60.  R. Stępniewski, A. Wysmołek, K.P. Korona, and J.M. Baranowski
„Optical Properties of Homoepitaxial GaN”
Chapter in III-Nitride Semiconductors: Optical Properties, ed. Omar Manasreh and H.X. Jiang, p 197-248
(Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices vol. 13, Taylor & Francis Books, Inc., New York London, 2002)

59.  R. Stępniewski, A. Wysmołek, and M. Potemski
„GaN electronic structure and luminescence mechanisms from magnetooptics in high magnetic fields”
Proc. of the 25-th International Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka 2000, ed. by N. Miura and T. Ando, Springer Poceedings in Physics 87, p 1513-6.

58.  A. Wysmołek, M. Potemski, and R. Stępniewski
„Selective magneto-luminescence spectroscopy of shallow donors in n-GaAs
Proc. of the 25-th International Conference on the Physics of Semiconductors, Osaka 2000, ed. by N. Miura and T. Ando, Springer Poceedings in Physics 87, p 1393.

57.  A. Wysmołek, M. Potemski, R. Stępniewski, K. Pakuła, J.M Baranowski , G. Martinez,  P.Wyder,
„Ground and Excited Excitonic Resonances in Heteroepitaxial GaN Layers: A Magnetooptical Study"
Proc. of IWN2000, IPAP Conference Series 1, 583 (2000)

56.  A.Wysmołek, V.F Sapega, T. Ruf, M. Cardona, M. Potemski, P. Wyder, R. Stępniewski, K. Pakuła, J.M Baranowski, I. Grzegory, S. Porowski,
„Magneto-Spectroscopy of Donor-Bound Excitons in Homoepitaxial GaN"
Proc. of IWN2000, IPAP Conference Series 1, 579 (2000)

55. A. Wysmolek, M. Potemski, R. Stepniewski , J. Lusakowski, K. Pakula, J.M. Baranowski, G. Martinez, P. Wyder, I. Grzegory, S. Porowski,
“Polarised Magnetoluminescence of Excitons in Homoepitaxial GaN”
Proceedings of the ICNS3, Montpellier, (1999), phys. stat. sol.
(b) 216, 11 (1999)

54. Stepniewski R, Potemski M, Wysmolek W, Pakula K, Baranowski JM, Lusakowski J, Grzegory I, Porowski S, Martinez G, Wyder P. 
“Symmetry of excitons in GaN”,
 Phys. Rev. B 60, 4438-41 (1999)

53. K. Karpierz, J. Lusakowski, R. Bożek, R. Stepniewski, M. Szot, Z. Romanowski, G. Karczewski, and M. Grynberg,
„What is the distance over which a hetero-interface influences electrons?”
Proc. 24th Int. Conference on the Physics of Semiconductors, Jerozolima  (August 2-7, 1998)

52. Saarinen K, Laine T, Kuisma S, Nissila J, Hautojarvi P, Dobrzynski L, Baranowski JM, Pakula K, Stepniewski, R, Wojdak M, Wysmolek A, Suski T, Leszczynski M, Grzegory I, Porowski S.
“Observation of native Ga vacancies in GaN by positron annihilation”
Nitride Semiconductors Symposium. Mater. Res. Soc. 1998, pp.757-62. Warrendale, PA, USA.

51. R. Stępniewski, A. Wysmołek, M. Potemski, J. Łusakowski, K. Korona, K. Pakuła, J.M. Baranowski, G. Martinez, P. Wyder, I. Grzegory and S. Porowski,
„Impurity-Related Luminescence of Homoepitaxial GaN Studied with High Magnetics Field”,
physica status solidi (b) 210, 373(1998).

50. I.A. Buyanova, J.P. Bergman, B. Monemar, H. Amano, I. Akasaki, A. Wysmołek, P. Łomiak, J.M. Baranowski, K. Pakuła, R. Stępniewski, K.P. Korona, I. Grzegory, M. Boćkowski, S. Porowski
„Effects of defect scattering on the photoluminescence of exciton-polaritons in n-GaN”
Solid State Communications, 105, 497-501 (1998)

49. J. Jasinski, R. Bożek, R. Stępniewski, J. Kozubowski
„Investigation of quantum dot structures grown by MOCVD in InAs/GaAs system”
Acta Physica Polonica A, 94, pp.369-73 (1998)

48. A.M. Witowski, M.L. Sadowski, K. Pakuła, B. Suchanek, R. Stępniewski, J.M. Baranowski, M. Potemski, G. Martinez, and P.Wyder,
„Magneto-optical studies of shallow donors in MOCVD grown GaN layers in FIR”
MRS Internet Journal of Nitride Semiconductor Research, 3 (1998)

47. R. Stępniewski, K.P. Korona, A. Wysmołek, J.M. Baranowski, K. Pakuła, M. Potemski, G. Martinez, I. Grzegory, and S. Porowski
“Polariton Effects in Reflectance and Emission Spectra of Homoepitaxial GaN”
 Phys. Rev. B. 56, 15151 (1997)

46. K. Saarinen, T. Laine, S. Kuisma, J. Nissila, P. Hautojarvi, L. Dobrzynski, J.M Baranowski, K. Pakula, R. Stepniewski, M. Wojdak, A. Wysmolek, T. Suski, M. Leszczynski, I. Grzegory, and S. Porowski
“Observation of native Ga vacancies in GaN by positron annihilation”
Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997)

45. K.P. Korona, R. Stępniewski, J.M. Baranowski
“Dielectric Function Theory Calculations of Polaritons in GaN”
Proc. of the XXVI Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1996, Acta Physica Polonica, 92, 867 (1997)

44. B. Marszałek, E. Zielińska-Rohozińska, R. Bożek, R. Stępniewski, A.M. Witowski
“Infrared Optical and X-ray Determination of Parameters for MOCVD Grown InAs
xSb1-x Epilayers”
Proc. of the XXVI Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1996, Acta Physica Polonica, 92, 919 (1997)

43. T. Andrearczyk, K. Karpierz, R. Bożek, R. Stępniewski, M. Grynberg
“FIR Magnetooptical Measurements of MOCVD Grown InAs”
Proc. of the XXVI Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1996, Acta Physica Polonica, 92, 695 (1997)

42. M. Suffczyński, R. Stępniewski, J.M. Baranowski
“Exciton in 2D Cubic Inclusion in Hexagonal GaN”
Proc. of the XXVI Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1996, Acta Physica Polonica, 92, 993 (1997)

41. E. Hulicius, T. Simecek, W. Richter, H. Reinhardt, R. Stępniewski, J. Pangrac, K. Melichar, J. Oswald, Z. Sourek, V. Vorlicek.
„Metalorganic vaporisation control - results for TMGa”
 Workshop Booklet. EW MOVPE VII. 7th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques.,Tech. Univ. Berlin. 1997, pp.D1 4

40. R. Bożek, E. Zielińska-Rohozińska, B. Marszałek, A.M. Witowski, R. Stępniewski, W. Gawron and J. Piotrowski
“Growth of InAsxSb1-x Based Heterostructures for 8-14 µM Near Room  Temperature Photodetectors”
Workshop Booklet. EW MOVPE VII. 7th European Workshop on Metal-Organic Vapour Phase Epitaxy and Related Growth Techniques. Tech. Univ. Berlin. 1997, pp.B12 4

39. J.M. Baranowski, Z. Liliental-Weber, K. Korona, K. Pakuła, R. Stępniewski, A. Wysmołek, I. Grzegory, G. Nowak, S. Porowski,
“Structural and Optical Properties of Homoepitaxial GaN Layers”
MRS Proc. 449, 393-405 (1997)

38. K.P. Korona, A. Wysmołek, K. Pakuła, R. Stępniewski, J.M. Baranowski, I.Grzegory, B. Łucznik, M. Wróblewski, S. Porowski, B. Monemar, and P. Bergman
”Exciton region reflectance of homoepitaxial GaN layers”
Appl. Phys. Lett. 69, 788, (1996)

37. A. Wysmołek, P. Łomiak, J.M. Baranowski, K. Pakuła, R. Stępniewski , K.P. Korona, I. Grzegory, M. Boćkowski and S. Porowski
“Coupling of LO Phonons to Excitons in GaN”
Proc. of the XXV Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1996, Acta Physica Polonica 90, 981 (1996)

36. R. Stępniewski and A. Wysmołek
“Shallow donors and acceptors in GaN; bound excitons and pair spectra”,
Proc. of the XXV Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1996, Acta Physica Polonica 90, 681 (1996)

35. A. Wysmołek, K.P Korona, K. Pakuła, J.M Baranowski, R. Stępniewski,  I. Grzegory, M. Wróblewski, S. Porowski,
“ Luminescence related to Mg-acceptor in p-type homoepitaxial GaN layers”
 Proc. of the 23-rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin 1996, ed.  by M. Sheffler and R. Zimmermann, World Scientific Singapore1996, p. 2925.

34. R. Stępniewski, M. Potemski, A. Wysmołek, K. Pakuła, J.M Baranowski, G. Martinez, I. Grzegory, M. Wroblewski, S. Porowski,
“Magnetooptics of excitons in homoepitaxial GaN layers”
Proc. of the 23-rd International Conference on the Physics of Semiconductors, Berlin 1996, ed.  by M. Sheffler and R. Zimmermann, World Scientific Singapore1996, p. 549.

33. K. Pakuła,  J.M Baranowski,  R. Stępniewski,  A. Wysmołek,I. Grzegory, M. Boćkowski, G. Nowak,  M. Leszczyński, S. Porowski
“Growth of GaN layers on single crystal GaN substrate by MOCVD method”,
Proc. of the XXIV Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1995, Acta Physica Polonica A, vol.88, no.5, pp.861-4

32. S. Porowski, J.M. Baranowski, M. Leszczyński, J. Jun, M. Boćkowski, I. Grzegory, S. Krukowski, M. Wróblewski, B. Łucznik, G. Nowak, K. Pakuła, A. Wysmołek, K.P Korona,     and R. Stępniewski
“Physical Properties of GaN Single Crystalline Substrates and Homoepitaxial Layers”
Proc. Int. Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes, Chiba, Japan 1996,  p 38

31. K. Pakuła, A. Wysmołek, K.P. Korona, J.M. Baranowski, R. Stępniewski, I. Grzegory, M. Boćkowski, J. Jun, S. Krukowski, M. Wróblewski, S. Porowski
“Luminescence and Reflection in the Exciton Region of Homoepitaxial GaN Layers Grown on GaN Substrates “
Solid St. Comm. 97, 919 (1996)

30. R. Bożek, J.M. Baranowski, R. Stępniewski, and J. Wróbel,
“GaSb Dots Grown on GaAs Surface by MOCVD”
NATO ASI Series 3: High Technology, Kluwer Academic Publishers 1996, Vol. 11,  p 135,

29. K. Pakuła, A. Wysmołek, K.P. Korona, J.M. Baranowski, R. Stępniewski, I. Grzegory, M. Boćkowski, J. Jun, S. Krukowski, M. Wróblewski, and S. Porowski,
“Growth of GaN MOCVD Layers on GaN single Crystals”
NATO ASI Series 3: High Technology, Kluwer Academic Publishers 1996, Vol. 11,  p 33,

28. R. Bożek, A. Babiński, J.M. Baranowski, R. Stępniewski, Z. Klusek, W. Olejniczak, K. Starowieyski, J. Wróbel,
“GaSb Dots Grown on GaAs Surface by Metalorganic Chemical Vapour Deposition”
Acta Physica Polonica A88, 974 (1995)

27. K. Pakuła, J.M. Baranowski, R. Stępniewski, A. Wysmołek, I. Grzegory, J. Jun, S. Porowski, M. Sawicki, K. Starowieyski,
“Growth of GaN Metalorganic Chemical Vapour Depositions Layers on GaN single Crystals”
Acta Physica Polonica A88, 861 (1995)

26. T. Słupiński, J. Przybytek, A. Wysmołek, M. Leszczyński, A. Babiński, J. Borysiuk, and R. Stępniewski,
"Single Crystals of GaAs1-xPx (0<x<0.15) grown by the Czochralski Technology"
Proc. of the 8-th Conference on Semi-Insulating Materials, ed. M. Godlewski, World Scientific 1994,  p 39.

25. R.Stępniewski, L. Gravier, M.Potemski, G.Martinez, and B. Etienne,
"Relaxation Processes in Quantizing Magnetic Fields in the Presence of a Two Dimensional Electron Gas."
Proc. of the 22-nd International Conference on the Physics of Semiconductors, Vancouver 1994, ed. D.J. Lockwood, World Scientific 1995,  p 1248.

24. R.Stępniewski, L. Gravier, M.Potemski, G.Martinez, and B. Etienne,
"Exciton Kinetics in Modulation Doped Quantum wells in Quantizing Magnetic Fields".
Superlattices and Microstructures 15, 409 (1994).

23. R.Stępniewski, M.Potemski, H.Buhmann, D.Toet, J.C.Maan, G.Martinez, W.Knap, A.Raymond, and B. Etienne,
"Magnetooptical Spectroscopy of Free and Bound Electron-Hole Excitations in the Presence of a Two-Dimensional Electron Gas"
Phys. Rev. B50, 11895 (1994).

22. T. Słupiński, G.Nowak, J. Przybytek, and R. Stępniewski,
"On the pining of the Fermi level by Germanium A10/+ deep donor state in GaAs codoped with Ge and Te"
Acta Physica Polonica A84, 807 (1993).

21. H. Buhmann, R. Stepniewski, and G. Martinez,
"Excitonic recombination of donor bound excitons in selectively doped MQW under high magnetic fields."
Helvetica physica acta. 65, 323 (1992)

20.  M.Potemski, R.Stępniewski, D.Toet, K. Meimberg, J.C.Maan, G.Martinez, P.Wyder, Y.H. Zhang, K. Ploog, G. Weimann and B.Etienne,
"Magnetooptical Studies of Electron-electron Interactions in 2D Semiconductors",
Proc. of the 21-th International Conference on the Physics of Semiconductors, Beijing 1992,  p 915

19.  M.Potemski, R.Stępniewski, J.C.Maan, G.Martinez, P.Wyder and B.Etienne,
"Auger Recombination within Landau Levels in a Two-Dimensional Electron Gas",
Phys. Rev. Lett. 66, 2239 (1991)

18.  R.Stępniewski, M.Potemski, H.Buhmann, D.Toet, W.Knap, A.Raymond, G.Martinez, J.C.Maan, and B. Etienne,
"Effects of screening and phase space filling on the energy stucture of modulation doped GaAs/GaAlAs quantum wells.",
Proc. of the 20-th International Conference on the Physics of Semiconductors, Thessaloniki 1990, ed.:E.M. Anastassakis, J.D.Joannopoulos, World Scientific 1990,  p 1282.

17.  R.Stępniewski, W.Knap, A.Raymond, G.Martinez, J.C.Maan, B. Etienne, and K. Ploog,
"Exciton - One Component Pasma Interaction in High Magnetic Fields",
Surface Science 229, 519 (1990)

16.  R.Stępniewski, S.Huant, G.Martinez, and B. Etienne
"Photoluminescence Studies of Planar-Doped GaAs-GaAlAs Multi-Quantum-Well Structures.",
Phys. Rev. B40 9772 (1990)

15. S.Huant, R.Stępniewski, G.Martinez, V. Thierry-Mieg, and B.Etienne,
"Magneto-Optical Properties of Shallow Donors in Planar-Doped GaAs-GaAlAs Multi-Quantum-Wells.",
Superlattices and Microstructures 5, 331 (1989).

14.  S.Huant, W.Knap, R.Stępniewski, G.Martinez, V. Thierry-Mieg, and B. Etienne,
"Quasi Two-Dimensional Shallow Donors in a High Magnetic Field."
Proc. of the Int. Conf. "High Magnetic Fields in Semiconductor Physics II", W
rzburg 1988; Springer Series in Solid State Science 87, ed.G. Landwehr, Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1989,  p 293.

13.  R.Stępniewski, W.Knap, A.Raymond, G.Martinez, T.Rtger, J.C.Maan, J.P.Andre,
"Correlation Between Magneto-transport and Photoluminescence in the Quantum Hall Effect Regime".
Proc. of the Int. Conf. "High Magnetic Fields in Semiconductor Physics II", W
rzburg 1988; Springer Series in Solid State Sciences 87, ed.G. Landwehr, Springer-Verlag Berlin Heidelberg 1989,  p 62.

12. R.Stępniewski,
"Evidence for the Existence of Free Magnetic Polarons in HgMnTe "
Proc. of the 18-th International Conference on the Physics of Semiconductors, Stockholm 1986, ed. Olof Engstr
m, World Scientific Publ. Co., 1987,  p 1783.

11. R.Stępniewski, J.Bogusz,
"Direct Calculation of Magnetization in Semimagnetic Semiconductors"
Proc. of XV Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1986, Acta Physica Polonica A71, 243 (1987).

10. R.Stępniewski,
"Combined Resonance of the Free Magnetic Polaron (Fluctuon) in HgMnTe"
Solid State Commun. 58, 19 (1986).

9.    R.Stępniewski,
"Combined Resonance of the Free Magnetic Polaron (Fluctuon) in HgMnTe"
Proc. of XIV Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1985, Acta Physica Polonica A69, 1001 (1986).

8.    W.Knap, R.Stępniewski, E.Fantner,
"Optically Induced Nernst-Ettinghausen Effect in Far-Infrared in Strong Magnetic Fields in HgTe and InSb"
Phys.Stat.Sol. (b) 132, 133 (1985).

7.    R.Stępniewski,
"Two-Dimensional States in Inversion Layer on Zero-Gap Semiconductor"
J.Phys.C: Solid State Phys. 17, L853-856 (1984).

6.    R.Stępniewski, M.Grynberg,
"Intraband Magnetooptical Resonances in Narrow-Open-Gap HgMnTe"
Proc. of the XIII Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1984, Acta Physica Polonica A67, 373 (1985).

5.    M.Górska, W.Knap, K.Pastor, R.Stępniewski,
"The Cyclotron Resonance in PbMnTe"
Proc. of the XII Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1983, ed. R.R.Gałązka and J.Raułuszkiewicz, Ossolineum, Wrocław 1983,  p 388.

4.    R.Stępniewski,
"Far-Infrared Study of the Dynamic Dielectric Function Near the Cyclotron Resonance Singularity"
Proc. of the XII Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1983, ed. R.R.Gałązka and J.Raułuszkiewicz, Ossolineum, Wrocław 1983,  p 187.

3.    W.Knap, J.Kossut, R.Stępniewski, J.Mycielski,
"Quantum Oscillations of the Photoelectromagnetic Effect in HgTe"
Proc. of the XII Conf. on Physics of Semiconducting Compounds, Jaszowiec 1981, ed. J.M. Langer, Ossolineum, Wrocław 1982,  p 131.

2.    R.Stępniewski, K.Pastor and M.Grynberg,
"Bands Anisotropy and Selection Rules for Far Infrared Magnetooptical Transitions in HgTe"
J.Phys.C: Solid State Phys. 13, 5783-99 (1980).

1.    R.Stępniewski, A.Wittlin, M.Grynberg and J.Chroboczek
"Far-Infrared magnetoabsorption in HgTe Involving Resonant Acceptor States"
J.Phys.C: Solid State Phys. 12, L395-8 (1979).