Jeśli chcesz:
- brać udział w powstawaniu nauki (zamiast tylko słuchac o niej na wykładach)
- pożytecznie (i miło;) spędzic wolny czas
- poznać pracownię naukowca od kuchni
- zaliczyć III pracownię
- zdobyc umiejętności niezbędne młodemu badaczowi

Przyjdź i zapytaj o możliwość włączenia się w pracę badawczą naszej grupy. Poniżej opisujemy tylko wybrane z propozycji zagadnień dla studentów. Więcej informacji o naszej pracy znajdziesz w zakładce "Nasze badania". Chętnie odpowiemy na pytania i opowiemy szczegóły.

1. Oś łatwa namagnesowania warstwy GaMnAs.

Arsenek galu z manganem jest modelowym półprzewodnikiem dla spintroniki. Atomy Mn wbudowane w sieć GaAs dostarczają nie tylko swobodnych nośników, ale są również źródłem momentów magnetycznych. Dla zawartości Mn powyżej 1% materiał ten w odpowiednich warunkach staje się ferromagnetykiem – zatem wykazuje uporządkowanie magnetyczne dalekiego zasięgu. Uporządkowaniu ulegają zarówno jony magnetyczne (Mn), jak i spiny swobodnych nośników. Stąd GaMnAs może stanowić dobre źródło spinowo spolaryzowanych elektronów(dziur), co potrzebne jest w urządzeniach spintronicznych. Kierunek uporządkowania namagnesowania (oś łatwa) zależy od wielu czynników, od grubości warstwy, jej naprężeń, również – jak donoszą prace - od temperatury.
W posiadaniu proponującego ćwiczenie jest warstwa GaMnAs, w której oś łatwa obraca się dla temperatury miedzy 4K a 15K, z leżącej w płaszczyźnie do prostopadłej. Celem ćwiczenia będzie wyznaczenie temperatury, w której to następuje.

2. Przeprowadzenie pomiarów tensora oporności grafenu

Dzięki swoim własnościom elektrycznym i mechanicznym grafen jest uważany za perspektywiczny materiał dla przezroczystych przyrządów elektronicznych wykonywanych na elastycznych podłożach, dla elektroniki wysokiej częstości, a także baterii czy sensorów. W celu projektowania struktur grafenowych o coraz lepszych własnościach, konieczne jest zrozumienie mechanizmów oddziaływania pojedynczych warstw atomów węgla zarówno z innymi takimi warstwami, jak i z podłożem, na którym się one znajdują. Jednym z istotnych kroków na drodze do zrozumienia tych mechanizmów jest wyznaczenie tensora oporności opisującego mechanizmy przewodzenia ładunku, co stanowi przedmiot tego ćwiczenia. Obiektem badań będą próbki grafenu wyhodowane w Polsce, na których zostaną wykonane pomiary tensora oporności w funkcji temperatury (od pokojowej do 2 K) i pola magnetycznego (od 0 do 12 T).

3. Spektroskopia impedancyjna struktur półprzewodnikowych

Chętnych studentów zapraszamy do współpracy w rozwijaniu badań struktur półprzewodnikowych (azotki, grafen) w oparciu o tzw. spektroskopię impedancyjną. W naszej pracowni można wykonywać pomiary impedancji w zakresie częstości do około 200 kHz w oparciu o technikę lock-in oraz do częstości 240 MHz z oscyloskopem cyfrowym jako przyrządem pomiarowym. Znajdzie się miejsce zarówno dla tych, którzy kochają wykonywać pomiary, jak i tych, którzy lubią zmuszać komputery do pożytecznej pracy – zarówno obsługi eksperymentów, jak i wykonywania rachunków i symulacji!

4. Komputerowe symulacje przepływu prądu

W przypadku cienkich warstw półprzewodników ferromagnetycznych o złożonej strukturze domenowej opór mierzony w funkcji pola magnetycznego może być bardzo nieregularną zależnością. Za pomocą symulacji udało nam się wyjaśnić obserwowane efekty doświadczalne.
Chcemy rozszerzyć nasz model o możliwość symulowania próbek trójwymiarowych by wyjaśnić dalsze wyniki.
Mile widziana umiejętnośc programowania (w dowolnym języku).

5. Pomiary szumowe

Opis badań szumowych znajdziesz (tutaj).
Przyjdź i zapytaj o aktualny stan badań i bieżące projekty lub zajrzyj (tutaj).

...

Sukcesywnie pojawiać się będą tutaj kolejne tematy.