Planowane badania:


Kolejny etap prac będzie polegał na wygrzaniu warstw epitaksjalnych GaN, AlxGa1-xN o różnym ułamku molowym aż do AlN, poddanych wcześniej bombardowaniu jonami Ar++ 320 keV. Celem tych badań jest poznanie mechanizmu i charakteru rekonstrukcji struktury krystalicznej.


Copyright © 2007 Karolina D. Pągowska