Moje publikacje

  • T. Rz±ca-Urban, K. P±gowska, W. Urban, A. Złomaniec et al.,
    First observation of excited states in the 138I nucleus,
    Phys. Rev. C Vol. 75 5 (2007) 054319
    publikacja

  • E. Dumiszewska, W. Strupiński, P. Caban, M. Wesołowski, D. Lenkiewicz, R. Jakieła, K. P±gowska, A. Turos, K. Zdunek,
    The Influence of Growth Temperature on Oxygen Concentration in GaN Buffer Layer,
    Mat. Res. Soc. Symp. Proc Vol. 1068 (2008) C03-09

  • A. Stonert, K. P±gowska, R. Ratajczak, P. Caban, A. Turos,
    Channeling study of thermal decomposition of III-N compound semiconductors,
    Nucl. Instr. Meth. B Vol. 266 (2008) 1224

  • A. Turos, R. Ratajczak, K. P±gowska, A. Stonert, L. Nowicki, P. Caban,
    Nitrogen sublattice analysis in GaN by non-rutherford He-ion scattering,
    Nucl. Instr. Meth. B Vol. 266 (2008) 1897

  • P. Caban, K. Kosciewicz, W. Strupiński, J. Szmidt, K. P±gowska, R. Ratajczak, M. Wójcik, J. Gaca, A. Turos, J. Schmidt,
    Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN,
    Materiały Elektroniczne T. 36–2008 nr 4 (2008) 5-16

  • K. P±gowska, R. Ratajczak, A. Stonert, A. Turos,
    Compositional dependence of damage buildup in Ar-ion bombarded AlGaN,
    Vacuum 83 (2009) S145-S147

  • R. Ratajczak, J. Gaca, M. Wójcik, A. Stonert, K. P±gowska, J. Borysiuk, A. Turos,
    Structural analysis of Distributed Bragg Reflector mirrors,
    Vacuum 83 (2009) S148-S151

  • P. Caban, K. Ko¶ciewicz, W. Strupiński, J. Szmidt, K. P±gowska, R. Ratajczak, M. Wójcik, J. Gaca, A. Turos,
    Structural characterization of GaN epitaxial layers grown on 4H-SiC substrates with different off-cut,
    Materials Science Forum Vols. 615-617 (2009) pp 939-942

  • A. Turos, L. Nowicki, A. Stonert, K. P±gowska, J. Jagielski,
    Monte Carlo simulations of ion channeling in crystals containing extended defects,
    Nucl. Instr. Meth. B 268 (2010) 1718

  • J. Jagielski, L. Thomé, Y. Zhang, A. Turos, L. Nowicki, K. P±gowska, S. Moll, I. Józwik,
    Defect studies in ion irradiated AlGaN,
    Nucl. Instr. Meth. B 268 (2010) 2056

  • K. P±gowska, R. Ratajczak, A. Stonert, A. Turos, L. Nowicki, N. Sathish, P. Józwik, A. Muecklich,
    RBS/channeling and TEM study of damage buildup in ion bombarded GaN,
    Zgłoszono na 8th International Conference Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons, Kazimierz Dolny (Polska) 2010

  • A. Turos, R. Ratajczak, K. P±gowska, L. Nowicki, A. Stonert,
    Stopping power and energy straggling of channeled He-ions in GaN,
    Zgłoszono na 8th International Conference Ion Implantation and Other Applications of Ions and Electrons, Kazimierz Dolny (Polska) 2010

  • A. Turos, K. P±gowska, R. Ratajczak, A. Stonert,
    On the mechanism of damage buildup in compound semiconductors,
    Zgłoszono na ...(Brazylia) 2010

    • Copyright © 2007 Karolina D. P±gowska