Moje publikacje

T. Rząca-Urban, K. Pągowska, W. Urban, A. Złomaniec et al.,
First observation of excited states in the ¹³⁸I nucleus,
Phys. Rev. C Vol. 75 5 (2007) 054319
publikacja

E. Dumiszewska, W. Strupiński, P. Caban, M. Wesołowski, D. Lenkiewicz, R. Jakieła, K. Pągowska, A. Turos, K. Zdunek,
The Influence of Growth Temperature on Oxygen Concentration in GaN Buffer Layer,
Mat. Res. Soc. Symp. Proc Vol. 1068 (2008) C03-09

A. Stonert, K. Pągowska, R. Ratajczak, P. Caban, A. Turos,
Channeling study of thermal decomposition of III-N compound semiconductors,
Nucl. Instr. Meth. B Vol. 266 (2008) 1224

A. Turos, R. Ratajczak, K. Pągowska, A. Stonert, L. Nowicki, P. Caban,
Nitrogen sublattice analysis in GaN by non-rutherford He-ion scattering,
Nucl. Instr. Meth. B Vol. 266 (2008) 1897

P. Caban, K. Kosciewicz, W. Strupiński, J. Szmidt, K. Pągowska, R. Ratajczak, M. Wójcik, J. Gaca, A. Turos, J. Schmidt,
Wpływ trawienia podłoży 4H-SiC na epitaksję GaN,
Materiały Elektroniczne T. 36 – 2008 nr 4 (2008) 5-16

K. Pągowska, R. Ratajczak, A. Stonert, A. Turos,
Compositional dependence of damage buildup in Ar-ion bombarded AlGaN,
Vacuum 83 (2009) S145-S147

R. Ratajczak, J. Gaca, M. Wójcik, A. Stonert, K. Pągowska, J. Borysiuk, A. Turos,
Structural analysis of Distributed Bragg Reflector mirrors,
Vacuum 83 (2009) S148-S151

P. Caban, K. Kościewicz, W. Strupiński, J. Szmidt, K. Pągowska, R. Ratajczak, M. Wójcik, J. Gaca, A. Turos,
Structural characterization of GaN epitaxial layers grown on 4H-SiC substrates with different off-cut,
Materials Science Forum Vols. 615-617 (2009) pp 939-942

A. Turos, L. Nowicki, A. Stonert, K. Pągowska, J. Jagielski,
Monte Carlo simulations of ion channeling in crystals containing extended defects,
Zgłoszono na 19th Int. Conf on Ion Beam Analysis, Cambridge (WB) 2009

J. Jagielski, L. Thomé, Y. Zhang, A. Turos, L. Nowicki, K. Pągowska, S. Moll, I. Józwik,
Defect studies in ion irradiated AlGaN,
Zgłoszono na 19th Int. Conf on Ion Beam Analysis, Cambridge (WB) 2009