Główne osiągnięcia naukowe (po 1997 r.)
- Zbadano doświadczalnie (za pomocą rentgenowskiej dyfraktometrii wysokorozdzielczej) i
teoretycznie rozpraszanie dyfuzyjne (XDS) w monokryształach półprzewodnikowych.
Stwierdzono związek między procesami technologicznymi (wyżarzaniem) oraz
koncentracją swobodnych nośników a mapami XDS. Metodą symulacji tych map
zidentyfikowano defekty o symetrii ortorombowej w kryształach GaAs domieszkowanych
tellurem. Badania XDS stosowano także do charakteryzacji defektów w strukturach
wielowarstwowych InAs, InSb, GaSb na podłożu GaAs.
- Za pomocą dyfrakcji neutronów termicznych zbadano uporządkowanie magnetyczne w
supersieciach EuTe/PbTe. Oba półprzewodniki w temperaturach helowych stają się
praktycznie izolatorami. EuTe jest antyferromagnetykiem o
temperaturze Néela TN ≈ 9.6
K. Naprężenia wywołane niedopasowaniem parametrów sieciowych i niewielką grubością
warstw (kilka lub kilkadziesiąt monowarstw) prowadzą do
znacznej zmiany TN w
porównaniu z objętościowym EuTe. Neutronowe profile
dyfrakcyjne wykazują korelacje
między uporządkowaniem momentów magnetycznych w kolejnych warstwach EuTe lub
istnienie oddziaływań magnetycznych między warstwami.
- Za pomocą pomiarów rozpraszania i reflektometrii neutronów po raz pierwszy
zaobserwowano sprzężenie antyferromagnetyczne między warstwami
ferromagnetycznymi w supersieciach półprzewodnikowych EuS/PbS.
- W innym ferromagnetycznym układzie półprzewodnikowym, GaMnAs/GaAs, pomiary za
pomocą reflektometrii neutronowej wykazały ferromagnetyczne uporządkowanie
dalekiego zasięgu, mimo że momenty Mn są słabsze i rozmieszczone w sposób
przypadkowy. Za pomocą reflektometrii neutronów spolaryzowanych stwierdzono
istnienie międzywarstwowego sprzężenia wymiennego w tych supersieciach.
- Na podstawie map rozpraszania dyfuzyjnego zmierzonych przy użyciu promieniowania
synchrotronowego zaproponowano nowy model strukturalny metastabilności centrów EL2
w GaAs.
- Zastosowano wysokorozdzielczą dyfraktometrię rentgenowską i symulacje komputerowe
do badania anizotropii relaksacji odkształceń w cienkich warstwach epitaksjalnych
InxGa1-xN nałożonych na podwarstwę GaN na szafirze. Wyznaczono obie składowe
(wzdłuż powierzchni warstwy i prostopadle do niej) i składową hydrostatyczną w grubych
warstwach GaN niedomieszkowanych oraz domieszkowanych Si.
- Za pomocą synchrotronowej topografii przekrojowej ujawniono paraboliczną krzywiznę
czoła krystalizacji monokryształów Si:Ge.
- Za pomocą dyfrakcyjnej topografii rentgenowskiej
ujawniono poraz pierwszy dyslokacje w
monokryształach GdCa4O(BO3)3 wyhodowanych metodą Czochralskiego.
- Za pomocą wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej zbadano mikrostrukturę
warstw MOCVD kryształów AlGaN otrzymanych w warunkach niskiego ciśnienia.
- Wykorzystano słabe (pseudozabronione) odbicia do badania domieszek Be w warstwach
GaAs oraz zaproponowano teoretyczny model rozmieszczenia tych domieszek w sieci
krystalicznej.
|