| Data wygłoszenia |
Temat referatu |
Referujący |
| 15.10.1997 r. |
Precyzyjny pomiar parametrów sieciowych w badaniu struktury
kryształów roztworów stałych |
dr Krystyna Wokulska (Instytut Fizyki i Chemii Metali
Uniwersytetu Śląskiego) |
| 22.10.1997 r. |
Badanie profilu składu chemicznego w strukturach wielowarstwowych metodą
wysokorozdzielczej dyfraktometrii rentgenowskiej |
mgr Jarosław Gaca i mgr Marek Wójcik
(Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych w Warszawie) |
| 5.11.1997 r. |
Przemiany fazowe w procesach zachodzących
przy szybkozmiennej temperaturze |
dr Ludwik Górski (Instytut Energii Atomowej, Świerk) |
| 12.11.1997 r. |
Samoorganizujące się kropki kwantowe |
dr hab. Grzegorz Karczewski (Instytut Fizyki PAN) |
| 19.11.1997 r. |
Kwazikrystaliczne stopy metali |
dr hab. Marian Surowiec (Instytut Fizyki i Chemii Metali
Uniwersytetu Śląskiego) |
| 26.11.1997 r. |
GaN - własności i zastosowanie |
Ewa Grzanka (IFD UW) |
| 17.12.1997 r. |
Dyfraktometria proszkowa: możliwości i ograniczenia |
dr hab. Jerzy Pielaszek (Instytut Chemii Fizycznej PAN) |
| 9.1.1998 r. |
Study of surfaces and interfaces by transmission electron
microscopy and X-Ray diffraction |
prof. dr Hartmut Fuess (Technische Universitat Darmstadt
Fachgebiet Strukturforschung) |
| 14.1.1998 r. |
Wzrost kryształów GaN w warunkach wysokiego ciśnienia azotu |
dr Stanisław Krukowski (Centrum Badań Wysokociśnieniowych PAN) |
| 21.1.1998 r. |
Badanie stanów elektronowych tlenku i azotku krzemu
metodą izochromat |
mgr Robert Nietubyć (Instytut Fizyki PAN) |
| 18.2.1998 r. |
Badanie epitaksjalnych struktur warstwowych
metodami dyfraktometrii rentgenowskiej |
dr hab. Elżbieta Zielińska-Rohozińska (IFD UW) |
| 4.3.1998 r. |
Dyfrakcja promieni rentgenowskich i neutronów na cienkich
warstwach i supersieciach |
Radosław Rzeczkowski (V rok fizyki) |
| 11.3.1998 r. |
"Miękkie" struktury chiralne |
prof. Antoni Adamczyk (IF PW) |
| 18.3.1998 r. |
Cienkie warstwy magnetyczne otrzymywane metodą MBE |
dr Tomasz Baczewski (IF PAN) |
| 25.3.1998 r. |
Diament - technologia otrzymywania i metody badań |
Elżbieta Klimkowska (V rok fizyki) |
| 1.4.1998 r. |
Fullereny |
doc. dr hab. Jerzy Pielaszek (IChF PAN) |
| 29.4.1998 r. |
Defekty elektrycznie aktywne w SI GaAs |
mgr Grażyna Strzelecka (Instytut Technologii
Materiałów Elektronicznych) |
| 6.5.1998 r. |
Zastosowanie trójkrystalicznej dyfraktometrii
i reflektometrii rentgenowskiej do charakteryzacji
warstw przypowierzchniowych monokryształów |
mgr Krystyna Mazur (Instytut Technologii
Materiałów Elektronicznych) |
| 13.5.1998 r. |
Badania defektów sieci w kryształach związków AIIIBV
metodą katodoluminescencji |
mgr Marta Pawłowska (Instytut Technologii
Materiałów Elektronicznych) |
| 20.5.1998 r. |
Materiały o gigantycznym i kolosalnym magnetooporze |
Rafał Nowak (V rok fizyki) |